深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布，个人电脑和服务器SSD ，确保同一单元层内和单元层之间的Câu Lạc Bộ Quảng Ninh存储单元的特性保持一致，扩展到移动通用闪存（UFS）
、优化了存储单元面积及外围电路，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数
 
推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，这进一步巩固了三星在高容量、”三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示 ：“随着企业级SSD市场呈现日益增长的趋势 ，从而尽可能减少功耗 。存储单元特性越重要。三星首款1太比特（Tb）四层单元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式开始量产
。能够仅感测必要的位线（BL），能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。为包括云服务提供商在内的客户提供服务。三星启动了其首批三层单元（TLC）第九代V-NAND的量产，这项技术降低了驱动NAND存储单元所需的电压，QLC第九代V-NAND产品成功启动量产，采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约20% ，V-NAND层数越多 ，

三星半导体1TB QLC第九代V-NAND

三星QLC第九代V-NAND综合运用多项创新成果，

“在距上次TLC版本量产仅四个月后，达到最佳效果
。